A gyors helyreállítású dióda belső felépítése eltér a szokásos PN átmenet diódáétól, amely a PIN átmenet diódájához tartozik, azaz az I alapterületet a P-típusú szilícium anyag és az N-típusú szilícium anyag közepébe adják hozzá a PIN-hez. szilícium ostya. Mivel az alapterület nagyon vékony, a fordított helyreállítási töltés nagyon kicsi, így a gyors helyreállítási dióda fordított helyreállítási ideje rövidebb, az előremenő feszültségesés alacsonyabb, és a fordított áttörési feszültség (ellenállási feszültség érték) magasabb.