A szilícium-karbid SiC egy összetett félvezető anyag, amely szilícium-Si-ből és szén-C-ből áll, általában 4H-SiC kristálytípusban. Szigetelési áttörési térerőssége 10-szerese a Si-énak, az energiarés háromszorosa a Si-énak, a hővezető képessége a Si-é háromszorosa, a telítési sodródási sebessége pedig kétszerese a Si-énak. Ez egy nagyon jobb teljesítményű elektronikai eszköz anyag, mint a Si.